专利名称：荧光体的制造方法专利类型：发明专利
发明人：市川真義,近藤良祐,江本秀幸,田中基申请号：CN201680010827.8申请日：20160217公开号：CN107406762A公开日：20171128
摘要：本发明涉及通式AMF：Mn(式中，元素A为至少包含K的碱金属元素，元素M为至少包含Si或Ge的选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的金属元素，F为氟，Mn为锰)所示的复合氟化物荧光体的制造方法，可以得到吸收率、内量子效率、外量子效率高且光学特性优异的荧光体的制造方法。
申请人：电化株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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