半导体外延结构、半导体器件及其制造方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410777695.4 （22）申请日 2014.12.15

（71）申请人 苏州捷芯威半导体有限公司

地址 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室

（10）申请公布号 CN104409499A

（43）申请公布日 2015.03.11

（72）发明人 裴轶;刘飞航;张乃千

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 常亮

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体外延结构、半导体器件及其制造方法

（57）摘要

本发明公开了一种半导体外延结构、半导

体器件及其制造方法，半导体外延结构包括衬底和位于衬底上的半导体外延层，衬底与半导体外延层实现完整分离后，在半导体外延层背面覆盖有高导热率绝缘层，高导热率绝缘层的导热率高于衬底的导热率；该半导体器件包括半导体外延结构和位于半导体外延结构中半导体外延层正面上的源极、漏极、以及栅极。本发明可以实现衬底材料的重复利用，既保证了半导体外延层的晶

体质量，又降低了材料成本，还省去了后续针对衬底材料的减薄工艺，简化了工艺，降低了工艺成本，提高了工艺成品率；并且高导热率绝缘层可以显著改善器件散热能力，并且避免衬底漏电和击穿问题出现，大大提高了器件的性能和可靠性。

法律状态

法律状态公告日2015-03-11 2015-03-11 2015-04-08 2015-04-08 2018-06-26

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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