电子信息工程 、自动化 、电气工程及其自动化专业专升本考试大纲 2008-4-17 admin 教务处 《电子技术》考试大纲 一、考试内容与要求 （一）模电部分 1、放大电路基础 （1）掌握： 半导体二极管的单向导电特性； 半导体三极管特性曲线（包括输出特性曲线的三个区域：截止区、放大区、饱和区）； 在设计半导体三极管电路时，往往需要了解半导体三极管各极电流与电压之间的关系。半导体三极管的特性曲线就是用来描述这种关系的曲线。 下面仍以常见的NPN 三极管共发射极电路来说明半导体三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。测绘半导体三极管特性曲线的电路如图15-4 所示。图中的电源EC用来供给发射结正向偏庄，而电源EC则用来供给集电结反向偏压。EB和EC都是可以调整的，以便可以得到从零到所需值的不同电压。 1.输入特性曲线 当半导体三极管的集电极与发射极之间的电压VCE为某一固定值时，基极电压VBE与基极电流IB间的关系曲线称为半导体三极管的特性曲线，即 如果将VCE 固定在不同电压值条件下.然后在调节EB的同时测量不同IB值对应的UBE值，便可绘出半导体三极管的输入特性曲线。图15-5 所示为3DG4管子的输入特性曲线。 从输入特性曲线上可以看出，UCE越大，曲线越往右移，而实际上，当UCE > 1V 后，输入特性曲线彼此靠得很近，因此一般只作一条UCE > I V 的输入特性曲线，就可以代替不同UCE 的输入特性曲线。 2. 输出特性曲线 当半导体三极管的基极电流IB为某一固定值时，集电极电压UCE 与集电极电流IC之间的关系曲线，称为半导体三极管的输出特性曲线，即 对应IB取不同定值时，改变UCE 并测量对应的IC， 则可得到半导体三极管的输出特性曲线组。图15-6 所示为3DG4管子的输出特性曲线。 通常把输出特性曲线分为三个区域，即放大区、饱和区及截止区。 (1)放大区 在IB=0 的那条特性曲线上，各条特性曲线起始的陡斜部分右侧的区域为放大区。只有在放大区， IB的微小变化才会引起IC有很大的变化。同时IC的变化基本上与UCE无关，它只受lB的控制。可见，半导体三极管只有工作在这个区域才具有电流放大作用。 (2) 饱和区 图15-6 左边的阴影区所示的区域为饱和区。管子产生饱和区的原因是:在集电极回路中，电源EC固定，通常总接人负载RL。 当IC增大时， UCE = EC - ICRL 必然下降。当UCE下降到UBE 以下时， IB再增大， IC基本上不再发生变化， IC达到饱和程度，此时半导体三极管失去电流放大能力。三极管处于饱和状态时，集电极与发射极之间的电压UCE很小，此时的电压称为三极管的饱和压降，以UCES表示。小功率硅三极管的UCES 为0.3 - 1V; 小功率锗三极管为0.2-0.3V; 大功率三极管为1- 3V 。三极管处于饱和工作状态时，虽然失去了放大作用，但由于集电极和发射极之间相当于短接，因而三极管在电路开关中起到\"通\"的作用。 (3)截止区 图15-6 中IB=0的那条输出特性曲线以下的部分称为截止区。处于截止状态的三极管，由于发射结和集电结均反向偏置，相当于集电极与发射极之间断路，它也失去了放大作用，所以此时的三极管可以起电路开关中的\"关\"作用 放大电路的动态性能指标（包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大电压输出幅度）的概念； 1. 放大倍数 放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标. 它定义为输出变量的赋值与输入变量的赋值之比,有时也称之为增益. 虽然放大电路能实现功率的放大,然而在很多场合,人们常常只关心某一单项指标的放大倍数,比如电压或电流的放大倍数.由于输出和输入信号都有电压和电流量,所以存在以下四种比值: 电压放大倍数用Auu表示,定义为 Auu=Uo/Ui, 或简化为 Au=Uo/Ui 电流放大倍数用Aii表示,定义为 Aii=Io/Ii, 或简化为 Ai=Io/Ii 电压对电流的放大倍数用Aui表示,定义为 Aui=Uo/Ii 电流对电压的放大倍数用Aiu表示,定义为 Aiu=Io/Ui 式中的Uo,Ui,Io和Ii都是正弦信号的有效值.需要注意的是, 如果输出波形出现明显的失真,则比值就失去意义了,因此在输出端要有监视失真的措施(如用示波器观察波形). 其他指标也是如此. 2. 输入电阻 作为一个放大电路,一定要有信号源来提供输入信号.例如扩大机就是利用话筒将声音转化成电信号提供给放大电路的.还有其他经过温度,压力等传感器变换后产生的各种各样的电信号源. 放大电路与信号源相连,就要从信号源取电流. 取电流的大小表明了放大电路对信号源的影响程度,所以我们定义一个指标,来衡量放大电路对信号源的影响,叫做输入电阻.当信号频率不是很高时,输电流Ii与输入电压Ui基本同相,因此通常用输入电阻来表示.它定义为 Ri=Ui/Ii 从图中可见, Ri就是向放大电路输入端看进去的等效电阻. Ri越大,表明它从信号源取的电流越小,放大电路输入端所得到的电压Ui越接近信号电压Us.因此作为量测仪表用的放大电路其Ri要大. 但是对于晶体管来说, Ri大则取电流小,将降低放大倍数.所以在需要放大倍数而Rs为固定值的情况下,晶体管放大电路的i又以小一些为好. 3. 输出电阻 放大电路将信号放大后,总要送到某装置去发挥作用. 这个装置我们通常称为负载. 比如扬声器就是扩大机的负载. 当我们在原来的扬声器两端再并联一个扬声器时, 它两端的电压将下降, 这种现象说明向放大电路的输出端看进去有一个等效内阻, 通称为输出电阻,记作Ro. 通常测定输出电阻的办法是在输入端加正弦波实验信号,测出负载开路时的输出电压Uo', 再测出接入负载RL时的输出电压Uo. 则有公式: Ro=(Uo'/Uo -1)*RL 输出电阻越大,表明接入负载后,输出电压的赋值下降越多.因此,Ro反映了放大电路带负载能力的大小. 第二种类型的指标: 4. 通频带 当只改变输入信号的频率时,发现放大电路的放大倍数是随之变化的, 输出波形的相位也发生变化. 这就需要有一定的指标来反映放大电路对于不同频率的信号的适应能力. 一般情况下, 放大电路只适用于放大一个特定频率范围的信号, 当信号频率太高或太低时,放大倍数都有大幅度的下降. 当信号频率升高而使放大倍数下降为中频时放大倍数(记作Aum)的0.7倍时,这个频率称为上限截止频率,记作fH. 同样, 使放大倍数下降为Aum的0.7倍时的低频信号频率称为下限截止频率,记作fL. 我们将fH和fL之间形成的频带称为通频带 ,记作fbw,即 fbw=fH-fL 通频带越宽,表明放大电路对信号频率的适应能力越强. 对于收录机,扩大机来 说,通频带宽意味着可以将原乐曲中丰富的高,低音都能完美地播放出来.然而有些情 况下则希望频带窄,如第七章中要讲的带通滤波电路等.第三种类型的指标: 5. 最大输出幅值 最大输出幅值指的是当输入信号再增大,就会使输出波形的非线性失真系数超过额定数值(比如10%)时的输出幅值.我们以Uom(或Iom)表示.一般指有效值,也有以峰至峰值表示的,二者差2*根号2倍. 6. 最大输出功率与效率 最大输出幅值是输出不失真时的单项(电压或电流)指标. 此外还应该有一个综合性的指标即最大输出功率.它是在输出信号基本不失真的情况下能输出的最大功率,记作Pom. 前面我们说过, 输入信号的功率都是很小的,经过放大电路,得到了较大的功率输出.这些多出来的能量是由电源提供的,放大电路只不过是实现了有控制的能量转换.既然是能量的转换,就存在转换效率的问题. 也就是说, 不能只看输出功率的大小,还应看能量的利用率如何.效率n定义为 n=Pom/Pv 式中Pv为直流电源消耗的功率. 7. 非线性失真系数 由于晶体管等器件都具有非线性的特性,所以当输出幅度大了之后,有时需要讨论它的失真问题. 我们在这里定义的非线性失真系数, 是指放大电路在某一频率的正弦波输入信号下,输出波形的谐波成分总量和基波成分之比. 用A1,A2,A3...表示基波和各次谐波的幅值,则失真系数D定义为: D=根号下((A2/A1)的平方+(A3/A1)的平方+...) 以上三类指标是以输入信号的幅度和频率来划分的.一般来说,第一类指标多适用于输入为低频小信号时的情况;第二类指标多适用于输入信号幅值小但频率变化范围宽的情况; 第三类指标则多适用于低频但输出幅值较大的情况.其他指标限于篇幅的关系不一一介绍. 基本放大电路的两种基本分析方法即图解分析法和微变等效电路分析法，放大电路的静态分析（要求会画直流通路）和动态分析（要求会画交流通路和微变等效电路）； 1)．图解法： 主要功能：分析静态工作点，动态范围和波形失真。 分析步骤： ① 画出三极管的输出特性，根据电路参数求出IBQ； ② 作直流负载线，确定静态工作点； ③ 通过静态工作点作交流负载线； ④ 根据输入信号引起的ib变化，由交流负载线确定iC和uCE的变化范围； ⑤ 检查是否有失真，确定输出波形。 2)．微变等效电路法： 主要功能：分析动态参数，计算放大倍数、输入和输出电阻。 分析步骤： ①利用估算法或图解法求静态工作点； ②根据放大电路的交流通路画出微变等效电路； ③根据三极管参数，利用公式 求出rbe； ④按照线性电路的分析方法求Au 、Ri 、R0 。 对于共射极基本放大电路电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro的计算公式分别为： Au= -b 考虑了信号源内阻RS的电压放大倍为AuS AuS= Ri =Rb//rbe Ro = RC 3)．例题分析 如图所示电路中，设三极管的β值为100，UBE＝0.7V，rbb’=200Ω，C1和C2足够大，又知UCC＝10V，Rb＝490kΩ，RC=RL=3kΩ。 试求：（1）静态时IBQ、ICQ、UCEQ； （2）计算rbe； （3）求电压放大倍数Au； （4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。 解： （1）根据估算公式可求出静态工作点，其中： IBQ＝ ICQ＝βIBQ=100×0.02=2mA UCEQ=UCC－ICQRC=10－2×3＝4V （2）根据公式可求出rbe，即： （3）根据已知公式可求放大倍数为： （4）电路的输入和输出电阻分别为： Ri=Rb//rbe=1.5kΩ Ro＝Rc＝3kΩ 放大电路有静态和动态两种工作状态。分析放大电路时，首先要分析静态（直流）,然后再分析动态。分析静态时，用放大电路的直流通路（耦合电容和旁路电容开路）；分析动态时，用放大电路的交流通路（直流电源、耦合电容和旁路电容短路）。 1.图解法 图解法是分析非线性电路的常用方法。它既可以分析放大电路的静态，也可以分析放大电路的动态。 （1）静态分析步骤 a）列出输入回路直流负载线方程，在晶体管输入特性曲线上作输入回路直流负载线，两者的交点就是静态工作点，即UBEQ和IBQ。 b）列出输出回路直流负载线方程，在晶体管输出特性曲线上作输出回路直流负载线，直流负载线与基极电流等于IBQ的那条输出特性曲线的交点就是静态工作点，即UCEQ和ICQ。 （2）动态分析步骤 a）将输入信号叠加于静态电压UBEQ之上，画出UBE（=UBEQ+Ui）的波形； b）根据输入特性和UBE的波形，画出IB的波形，获得基极电流的交流分量Ib的波形； c）利用交流通路算出交流负载线的斜率，通过静态工作点，画出交流负载线； d）由Ib的波形，利用交流负载线画出IC和UCE的波形，获得UCE的交流分量Uce就可得到输出电压uo(=uce)。 通过图解分析可得到输出信号电压和输入信号电压的最大值，从而计算出电路的电压放大倍数。通过图解分析也可得到Uo与Ui的相位关系以及放大电路的失真情况和动态范围。 虽然说图解法是分析放大电路时常用的方法，然而在电路分析过程中，很难得到准确的晶体管特性曲线，同时小信号分析作图准确度较差，实际上在小信号分析中并不常用。 由于图解分析可以清楚地看到电路中的电压电流波形图，比较形象，对初学者理解电路的工作原理很有利，并且在分析放大电路的失真情况和动态范围时使用的较多。 （3）共射极放大电路Uopp的估算 当放大电路的静态工作点设置不合理并且输入信号较大时，晶体管有可能工作在非线性区（饱和或截止区），使输出电压波形出现削波现象，即产生饱和或截止失真。当静态工作点较高，靠近饱和区时，输出电压容易产生饱和失真；当静态工作点较低，靠近截止区时，输出电压容易产生截止失真。为此，估算放大电路Uopp时，要从产生截止失真和饱和失真两个方面来分析。 a）当静态工作点较低时，Uopp由下式决定： b）当静态工作点较高时，Uopp由下式决定： 式中UCES为晶体管的饱和压降，一般小功率晶体管的饱和压降近似等于0.5V。当输出信号电压峰峰值小于Uopp时，输出信号不会产生截止失真和饱和失真。 2.静态工作点估算法 利用估算法（也称为近似计算法）分析放大电路静态工作点时，首先根据放大电路的直流通路列出输入回路的电压方程，近似估计晶体管的UBEQ（硅管：0.7V，锗管：0.2V）代入方程求解基极静态电流IBQ，从而计算ICQ=βIBQ；再列出输出回路的电压方程计算UCEQ。 3.微变等效电路法 （1）指导思想 当交流信号幅值较小时，放大电路在动态时的工作点只是在静态工作点附近作为小的变化。虽然放大电路是非线性电路，但在较小的变化范围内，晶体管的非线性特性可近似为线性特性，即可以用一个线性等效电路（线性化模型）来代替小信号时的晶体管，利用处理线性电路的方法分析放大电路。 （2）晶体管的微变等效电路 晶体管的H参数等效电路如图2.2所示，它是用来分析晶体管低频应用时的等效电路。其中Hie称为晶体管共射极输入电阻，也常用Rbe作符号表示；Hre称为反向电压比或内电压反馈系数；Hfe为晶体管的正向电流放大系数， Hfe就是β；Hoe称为晶体管共射极输出电导。由于管子的Hre 和Hoe均很小，可以忽略，所以在放大电路分析中，常用图2.2（b）所示的简化的H参数微变等效电路来等效晶体管。 （3）Rbe的计算公式 式中：晶体管的基区体电阻Rbb'的值可通过查阅器件手册得到，低频小功率管可取Rbb'值为300欧姆。 （4）用微变等效电路法分析放大电路的步骤 a）在静态分析之后，根据静态电流IEQ≈ICQ计算晶体管的输入电阻Rbe； b）将交流通路中的晶体管用微变等效电路替代，画出放大电路的微变等效电路； c）根据微变等效电路，利用线性电路的分析方法，按照放大电路动态指标的定义，可分别求得放大电路的 、Ro、Ri等技术指标。 共射极放大器（包括基极分压式射极偏置电路）、共集电极放大器和共基极放大器的组成、工作原理、静态分析（静态工作点的估算）和动态分析（中频段电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的分析和计算）； 表2.1 三种基本组态的判别 组态 接输入端（信号源） 接输出端（负载） 接交流地（公共端） 共发射极 共集电极 共基极 基极（b） 基极（b） 发射极（e） 集电极（c） 发射极（e） 集电极（c） 发射极（e） 集电极（c） 基极（b） 表2.2 三种基本放大电路的性能特点 输入电阻的大小 输出电阻的大小 电压放大能力 电流放大能力 Uo与Ui的相位关系 应用范围 放大电路静态工作点的稳定问题（温度变化对静态工作点的影响）。 共发射极 中等 较大 有 有 反相 共集电极 大 小 无（Au≤1） 有 同相 共基极 小 较大 有 无 同相 低频，中间级 输入级，输出级，缓冲级 高频，宽频带放大，恒流源 （2）理解：电子和空穴的物理意义； 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴 P型和N型半导体的物理意义；半导体二极管（包括稳压管）、三极管的外特性及主要性能参数； 引起放大电路的非线性失真（饱和失真、截止失真、交越失真）的原因及其概念； 非线性失真产生的主要原因来自2方面：① 晶体管等特性的非线性；② 静态工作等位置设置的不合适或输入信号过大．由于放大器件工作在非线性区而产生的非线性失真有4种：饱和失真、截止失真、交越失真和不对称失真。 ① 放大器件的工作点进入了特性曲线的非线性区，使输入信号和输出信号不再保持线性关系，这样产生的失真称为非线性失真 ② 静态工作等位置设置的不合适或输入信号过大. 由于放大器件工作在非线性区而产生的非线性失真有4 种：饱和失真、截止失真、交越失真和不对称失真。 ③ ④ ⑤ 由于放大器件工作到特性曲线的饱和区产生的失真，成为饱和失真。 由于放大器工作到特性曲线的截止区产生的，称为截止失真。 如果所使用的放大器件是PNP 型的，则饱和失真时将出现削顶，而截止失真将出现削底。若输入信号幅度过大，有可能同时出现饱和失真和截止失真。不难看出，为避免产生这2种失真，静态工作点Q 应位于交流负载线的中点,并要求输入信号幅度不要过大。 ⑥ 交越失真是乙类推挽放大器所特有的失真。这种失真是由于2 只晶体管在交替工作时“交接”不好而产生的,称为交越失真. 消除交越失真的办法是给晶体管建立起始静态偏置，使它的基极电压始终不小于死区电压。 ⑦ 不对称失真也是推挽放大器所特有的失真，它是由于推挽管特性不对称，而使输入信号的正、负半周不对称，这种失真称为不对称失真。消除办法是选用特性对称的推挽管 多级放大电路的级间耦合方式。 多级放大电路的耦合方式：直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 ★直接耦合 直接耦合：将前一级的输出端直接连接到后一级的输入端。 直接耦合方式的缺点：采用直接耦合方式使各级之间的直流通路相连，因而静态工作点相互影响。有零点漂移现象。 直接耦合方式的优点：具有良好的低频特性，可以放大变化缓慢的信号；由于电路中没有大容量电容，易于将全部电路集成在一片硅片上，构成集成电路。
★阻容耦合方式
阻容耦合方式：将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端，称为阻容耦合方式。
直流分析：由于电容对直流量的电抗为无穷大，因而阻容耦合放大电路各级之间的直流通路不相通，各级的静态工作点相互独立。
交流分析：只要输入信号频率较高，耦合电容容量较大，前级的输出信号可几乎没有衰减地传递到后级的输入端。因此，在分立元件电路中阻容耦合方式得到非常广泛的应用。
阻容耦合电路的缺点：低频特性差，不能放大变化缓慢的信号；在集成电路中制造大容量的电容很困难，因此阻容耦合方式不便于集成化。 ★变压器耦合
变压器耦合：将放大电路前级的输出端通过变压器接到后级的输入端或负载电阻上，称为变压器耦合。
电路缺点：变压器耦合电路的前后级靠磁路耦合，它的各级放大电路的静态工作点相互独立。它的低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，且非常笨重，不能集成化。
电路优点是可以实现阻抗变换，因而在分立元件功率放大电路中得到广泛应用。
★光电耦合器
光电耦合器：是实现光电耦合的基本器件，它将发光元件（发光二极管）与光敏元件（光电三极管）相互绝缘地组合在一起，如下图所示。
工作原理：发光元件为输入回路，它将电能转换成光能；光敏元件为输出回路，它将光能再转换成电能，实现了两部分电路的电气隔离，从而可有效地抑制电干扰。
传输比CTR：在c-e之间电压一定的情况下，iC的变化量与iD的变化量之比称为传输比CTR，即
CTR的数值只有0.1~1.5。
当动态信号为零时，输入回路有静态电流IDQ，输出回路有静态电流ICQ，从而确定出静态管压降UCEQ。当有动态信号时，随着iD的变化，iC将产生线性变化，电阻Rc将电流的变化转换成电压的变化。由于传输比的数值较小，所以一般情况下，输出电压还需进一步放大。实际上，目前已有集成光电耦合放大电路，具有较强的放大能力。
（3）了解：放大器的三种工作状态（甲类、乙类、甲乙类）及各种状态下的工作特点以及功率、效率的概念和相互关系。 2、集成运算放大器及其应用 （1）掌握：零点漂移的概念、产生号的概念； 运算放大器线性应用时“虚断”、“虚短”、“虚地”的概念； 反相比例运算电路、同相比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路的分析和计算。 （2）理解：差动放大电路输入和输出方式，差模信号、共模信号、共模抑制概念。 （3）了解：运算放大器的组成及主要性能参数。 蚣澳庵屏愕闫频拇胧?/SPAN>差模信号和共模信3、反馈放大器与信号发生器 （1）掌握：反馈及反馈电路的基本概念； 反馈电路组成及类型； 是直流反馈和还是交流反馈、是正反馈还是负反馈、是电压反馈还是电流反馈、是串联反馈还是并联反馈； 反馈深度的概念； 正弦波振荡电路的起振和平衡条件。 （2）理解：反馈电路的一般方框图和一般表达式； 负反馈对放大电路性能的影响（主要是对放大倍数、输入电阻、输出电阻的影响）。 （3）了解：正弦波振荡电路的类型及振荡频率的计算。 （二）数电部分 1、逻辑电路基础 （1）掌握：逻辑代数的基本定律、恒等式和基本规则； 逻辑函数的功能描述方法（真值表、表达式、卡诺图、逻辑图）及相互转换； 逻辑函数的化简方法即代数法与图形法。 逻辑表达式（与或式、与或非式、与非式、或与式）及相互转换。 （2）理解：计数体制及其转换方法（二、八、十、十六进制）； 常用编码及其特点；半导体二极管和三极管的开关特性。 （3）了解：集成逻辑门电路类型及特点。 2、逻辑电路分析与设计 （1）掌握：逻辑电路的分类； 组合逻辑电路的逻辑功能描述方法和基本分析方法；组合逻辑电路的设计方法； 时序逻辑电路的类型及分析方法。 （2）理解：组合逻辑电路的基本概念、一般结构框图和特点； 触发器的基本概念，触发器的分类，各种类型触发器的特性方程和逻辑功能。 （3）了解：逻辑电路中的竞争冒险的概念。 3、大中规模通用集成电路及其应用 （1）理解：常用组合逻辑电路器件（编码器、译码器、选择器、分配器、比较器）和时序逻辑电路器件（触发器、计数器、寄存器）的类型及功能。 （3）了解：半导体存储器的基本概念，半导体存储器的类型。 《电路》复习考试大纲 一、考试内容与要求 1、电路的基本概念和电阻电路分析 （1）掌握：电路模型的概念； 电流、电压及其参考方向 ；电功率的概念与计算； 电阻、电容、电感、电压源的特性与电压电流关系； 基尔霍夫定律及其应用； 实际电源的两种模型及其等效变换； 简单含受控源电阻电路分析； 节点电压法及其应用； 叠加定理及其应用 戴维南定理及其应用。 （2）理解：电位的概念； 会计算电路的电位；电能量的概念； 电容、电感的储能； 电阻串、并联的计算； 会用支路电流法列写电路方程； 最大功率传输定理及其应用。 （3）了解：电动势的概念，电流源的特性； 电阻的星型和三角型联接及其等效变换； 诺顿定理及其应用。 2、周期电流电路分析 （1）掌握：正弦量的振幅、周期、频率、角频率、相位差的概念； 正弦量的瞬时值和有效值的概念及分析计算； 正弦量的相量表示，波形图和相量图；基尔霍夫定律的相量形式； 电阻、电感、电容元件电压电流的相量形式； 阻抗的概念及电路相量模型； 正弦电流电路的有功功率、无功功率和功率因数的概念与计算； 用相量法分析正弦电流电路； 三相对称正弦量概念，三相电路的联接接方式，对称三相电路线电压、线电流与相电压（相电流）关系； 简单对称三相电路的电压、电流、功率计算。 （2）理解：RLC串联电路的谐振条件。 （3）了解：导纳的概念及其电路模型； 简单并联谐振电路的概念； 视在功率与复功率概念。 3、动态电路分析 （1）掌握：稳态和暂态的概念； 换路定律和初始值的确定； 时间常数的物理意义和计算； 一阶电路三要素法。 （2）理解：一阶电路零输入响应、零状态响应和全响应的概念。