专利名称：一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：刘宝林,朱丽虹申请号：CN200910111881.3申请日：20090527公开号：CN101572288A公开日：20091104
摘要：一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、p型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
申请人：厦门大学
地址：361005 福建省厦门市思明南路422号
国籍：CN
代理机构：厦门南强之路专利事务所
代理人：马应森
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