专利名称：生长氧化物单晶体的热场装置专利类型：实用新型专利发明人：黄永臣,白凤周,刘鹏,黄楠申请号：CN201420162940.6申请日：20140404公开号：CN203795015U公开日：20140827
摘要：生长氧化物单晶体的热场装置，包括坩埚，置于热场中央，坩埚外有保温筒、石英管和感应线圈，上方设有保温罩和ZrO盖，保温罩外安装泡沫砖，泡沫砖上开有观察隧道口，下方有不同材料套装组成的底托，在保温筒和石英管之间有氧化锆粘，热场的保温筒、石英管、底托都分别由体积较小的多块叠装组成，这种结构不容易炸裂和损坏，损外的更换量小。本技术的热场装置观察隧道较长，不易受到外界温度的影响，热场内的温度梯度小，温度平稳恒定，晶体不容易炸裂，温场的保温性、气密性和稳固性较好，对设备和原料的损耗小，提拉晶体的成品率、成功率高，成本低。
申请人：玉溪市明珠晶体材料有限公司
地址：653100 云南省玉溪市红塔区李棋镇政府北侧
国籍：CN
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