（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201510149308.7 （22）申请日 2015.03.31
（71）申请人 意法半导体公司;意法半导体(克洛尔2)公司
地址 美国得克萨斯州
（10）申请公布号 CN106158878B
（43）申请公布日 2019.07.16
书
（72）发明人 柳青;T·斯科特尼基
（74）专利代理机构 北京市金杜律师事务所
代理人 王茂华
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构
（57）摘要
本公开涉及制作增强UTBB FDSOI器件的
方法和结构。一种集成电路裸片包括具有第一半导体材料层、在第一半导体材料层上的电介质材料层以及在电介质材料层上的第二半导体材料层的衬底。晶体管的延伸沟道区域被定位在第二半导体材料层中，与第二半导体材料层的顶表面、侧表面以及潜在地底表面的部分相互作用。栅极电介质被定位在第二半导体材料层的顶表面上和暴露的侧表面上。栅极电极被定位在第二半导体
材料层的顶表面和暴露的侧表面上的栅极电介质上。
法律状态
法律状态公告日
2016-11-23 2016-11-23 2016-12-21 2016-12-21 2019-07-16
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
制作增强UTBB FDSOI器件的方法和结构的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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