专利名称：氮化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：尺田幸男,园部雅之,伊藤范和申请号：CN200680038980.8申请日：20061019公开号：CN101292328A公开日：20081022
摘要：本发明提供一种高特性的氮化物半导体元件，该氮化物半导体元件以MgZnO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物作为基板，在其上部生长的氮化物半导体层的结晶性良好，并且能够防止膜的脱落和裂纹的发生，漏电电流小。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层而形成氮化物半导体元件时，基板(1)由MgZnO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物构成，在该基板(1)上相接设置有由
AlGaN(0.05≤y≤0.2)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层(2)上叠层有氮化物半导体层(3)～(5)，使得形成半导体元件。
申请人：罗姆股份有限公司
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：刘春成
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