专利名称：嵌入在MOS器件中的锗阻挡件专利类型：发明专利
发明人：郭紫微,李昆穆,宋学昌,李启弘,李资良申请号：CN201410376999.X申请日：20140801公开号：CN104377199A公开日：20150225
摘要：本发明提供了一种集成电路结构，包括位于半导体衬底上方的栅叠件以及延伸至半导体衬底内的开口，其中，开口邻近栅叠件。第一硅锗区位于开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区的上方，其中，第二硅锗区的第二锗百分比大于第一锗百分比。第三硅锗区位于第二硅锗区的上方，其中，第三硅锗区的第三锗百分比小于第二锗百分比。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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