专利名称：使用外延沉积以制造结晶硅太阳能电池的方法专利类型：发明专利
发明人：詹姆斯·M·吉,查尔斯·盖伊,奈格·B·帕蒂班德拉,奥姆
卡拉姆·诺拉马苏,考施·K·辛格
申请号：CN201180021209.0申请日：20110512公开号：CN102870229A公开日：20130109
摘要：本发明的实施例提供一种薄单晶硅膜太阳能电池以及形成所述太阳能电池的方法。所述方法包括：在硅生长衬底上形成薄单晶硅层，接着在所述薄单晶硅膜上和/或中形成前或后太阳能电池结构。所述方法也包括：将所述薄单晶硅膜附接到机械载体上，然后沿分裂平面将所述生长衬底从所述薄单晶硅膜分离，所述分裂平面形成于所述生长衬底与所述薄单晶硅膜之间。随后在与所述机械载体相对的所述薄单晶硅膜上和/或中形成前或后太阳能电池结构，而完成所述太阳能电池的形成。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人：徐金国
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