专利名称：一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法专利类型：发明专利发明人：张作望,吴少凡申请号：CN201210565733.0申请日：20121224公开号：CN103103610A公开日：20130515
摘要：本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd:YLF晶体中掺入GdF，其化学式为：Nd:Y(1-x-y)GdLiF。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd与Y之间，大离子半径Gd的掺入部分替代Y进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd:YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。
申请人：福建福晶科技股份有限公司
地址：350003 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园
国籍：CN
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