专利名称：等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注
入装置
专利类型：发明专利发明人：叶如彬,倪图强申请号：CN201210593652.1申请日：20121231公开号：CN103915307A公开日：20140709
摘要：本发明公开了一种等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置，本发明在所述环形气体注入管道内壁设置若干气体注入口，并且使得所述气体输出的方向与所述气体注入口指向所述环形气体注入管道圆心的方向呈一锐角，确保气体注入反应腔后在解离区域内形成涡流状分布，延缓了气体下沉的速率，延长了气体到达基片的走行距离，使得气体在解离区域内尽可能的得到解离，与传统的垂直所述环形气体注入管道内壁的气体注入口相比，气体下沉速率减慢，气体解离率提高，从而提高了反应气体的利用效率，同时由于反应腔内等离子体浓度升高，提高了刻蚀速率。
申请人：中微半导体设备(上海)有限公司
地址：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：王洁
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