专利名称：半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制
造方法
专利类型：发明专利
发明人：仙田真一郎,山越康广,伊藤顺一申请号：CN201080003041.6申请日：20100405公开号：CN102197155A公开日：20110921
摘要：本发明提供一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WNi(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成；及一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WNi(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。本发明的课题在于提供不依赖于溅射时的氮化反应，靶本身与阻挡膜具有相同组成，并且可以有效防止半导体器件的反应，再者溅射时不产生粉粒，特别是作为阻挡膜有用，并且在该阻挡膜形成时具有优良的特性的溅射靶及该靶的制造方法。
申请人：吉坤日矿日石金属株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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