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一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器[发明专利]

2023-02-27 来源:飒榕旅游知识分享网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器专利类型:发明专利

发明人:任俊彦,郑仁亮,张楷晨,李巍,叶凡,李宁申请号:CN200910055221.8申请日:20090723公开号:CN101656516A公开日:20100224

摘要:本发明涉及一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器可以应用于3.1~4.8GHz、3.1~10.6GHz的超宽带中,或者900MHz~6GHz的认知无线电射频前端中。它基于共源跨导输入与电阻负反馈结构,由匹配级,放大级、反馈级和负载级组成。其中匹配级使用栅极电感调谐宽带输入阻抗;放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端,与它们漏端输出相连接的共栅级NMOS管作为电流跟随器;输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路;负载级使用电阻负载。本发明结构简单,占用芯片面积小,增益高,功耗低,能满足宽带通信系统射频前端的要求。

申请人:复旦大学

地址:200433 上海市邯郸路220号

国籍:CN

代理机构:上海东创专利代理事务所(普通合伙)

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