专利名称：化学气相成长用原料和采用该原料的薄膜的制造方
法
专利类型：发明专利
发明人：小野泽和久,佐藤宏树申请号：CN02151327.9申请日：20021115公开号：CN1500909A公开日：20040602
摘要：一种含有下述通式(I)表示的金属化合物的化学气相成长用原料，式中，各个R可以是相同或不同的，表示碳原子数为1～8的烷基，M表示从钛、锗、锆、锡、铪和铅组成的组中选择的金属元素。
申请人：旭电化工业株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：陈建全
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