電路圖如下：
247U/2C7525VD75212VRELAY-S2RL4A1N4007V2V2DR75810KGQ751ASTD2NC80Q7122N2222Q752ASTD2NC80GR75910KC753222/1KVS1R760Q7132N22223K92CPU11DR751A3K92R752A432KINPUTCPU34CPU34S 從電路中的驅動部分來看，和Boost電路的架構是完全一致的，唯一不同的是此電路中沒有負載電阻，如下圖所示Boost標准電路：
L1D1LED1SW1C1R1 從標准圖中可知當SW1閉合時，電路中的左邊為電池通過電感L1和SW1形成回路，從而對電感L1進行充電，電感進行儲能，同時負載R1由電容C1供電﹔當SW1斷開時，電池通過L1、D1給負載供電，同時對電容C1進行充電，在此時由於電感L1已經充電產生了一個由左至右的電流，所以在此此會產生一個左低右高的電壓，因此加在負載上的電壓為電池和電感兩個電壓值的疊加，最終負載電壓會高於電池電壓。而在上面的電路中所示的是沒有負載電阻的，因此在MOS管關斷的瞬間會將能量都釋放到電容C753上從而會在此點產生一個很高的電壓，下圖為在PCB板上的實測電壓：
從上圖中所測試出來的可以看出電壓達到403V，下圖為只用單體進行測試的波形圖：
從圖中可以看出電壓值在310V，下圖為在上面的單體條件下再加入一個電容的測試波形圖：
圖中所測試出來的電壓最大為216V，與403V的電壓相差很大，所以對此電路中要注意此部分電路會由於繼電路線圈的電感的存在，使電路部分會有高壓產生，在選用材料時要特別注意。
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