模拟电子技术试题5
一、填空(共20空,每空1.5分)
1.本征半导体中掺入_____价元素形成P型半导体;它主要靠_____导电。2.整流是将_____电压变换为_____电压的过程。
3.PN结的单向导电性表现为_____时导通;_____时截止。
4.使三极管具有电流放大作用的内部条件是_____、_____、_____。 5.多级放大电路的输入电阻是_____的输入电阻;输出电阻是_____输出电阻。
6.反馈系数是_____信号与_____信号之比。
7.使正弦波振荡器振荡必须满足_____平衡条件和_____平衡条件。 8.RS触发器Q端的状态为触发器的状态Q=0时称触发器处于_____态;当Q=1称触发器处于_____态。
9.时序逻辑电路由_____电路和_____电路两在部分组成。
10.存放n位二进制数,需要_____个触发器。
二、判断(正确的在括号内打“√”,错误的在括号内打“×”。每个判断空1分)
1.PN结正向偏压时,P区接电源负极,N区接电源的正极。( ) 2.二极管的主要参数是最大整流电源和最高反向工作电压。( ) 3.稳压管开始反向击穿时,PN结会损坏。( )
( )4.三极管的输入电阻rbe与静态工作点有关。
5.在基本共射极放大电路中,电压放大倍数随增大成正比例增大。
( )
6.从结构上看,正弦波振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。()
7.图2-1所示电路,可以进行正常的交流放大。( )
8.图2-2所示TTL门电路,处理在实际使用时出现有多余输入端的接法是正确的( )
图2-1图2-2
1
三、选择(将正确答案的文字代号填在括号内,每个选择空3分)1.P型半导体中,多数载流子是_____;少数载流子是_____。
A.空穴 | B.电子 | C.正离子 | D.负离子 |
2.N型半导体中多数载流子浓度取决于_____;少数载流子浓度取决于
_____。( ) |
| ( ) | |
A.本征半导体 | B.环境温度 | ||
C.掺杂浓度 | D.与A、B、C 所述无关 | ||
3.图3-1 所示电路中,A、B 两端的电压值是 | |||
A.–9V | B.–12V | 图3-1 | |
C.12V | D.9V |
4.共基极放大电路中三极管的三个电极电流关系是( )
A. | IE=IC+IB | B. | IC=IE+IB | C. | IB=IC–IE |
D.IB=IC+IE
5.图3-2所示电路为()
A.共射极电路B.共基极电路
C.功率放大电路 D.共集电极电路
6.消除基本的共射极放大电路中出现的截止失真,通常采用的方法是( )
A.增大RbB.增大Rc
C.减小RbD.减小Rc
7.图3-3所示电路是属于_____反馈电路。( )
A.电压并联负反馈C.电流并联负反馈
B.电流串联负反馈
D.电压串联负反馈
8.图3-4 所示电路中的触发器,在给定输入信号作用下Q 端的输出波形是( )
|
|
|
图3-2 | 图3-3 | 图3-4 |
9.将不规则的矩形脉冲变成脉冲幅度都相等的矩形波,可用( )A.多谐振荡器 B.施密特触发器
C.单稳态触发器 D.T 触发器
2
四、分析与计算(55分)
1.整流电路如图4-1所示,其中U2=20V,RL=3(1)计算输出直流平均电压
(2)计算RL中的平均电流
图4-12.电路如图4-2所示,其中三极管=50,VBEQ=0。TV其他参数见图。
(1)画出直流通道图
(2)估算电路的静态工作点
(3)画出交流通道图
(4)计算电压放大倍数
图4-2 3.图4-3所示为理想运算放大电路,若Vi1=–2V,Vi2=3V,Vi3=4V,Vi4=–5V,试求V0的值。
图4-34.完成下列不同数制数的转换
(1)(1010)2=( )10
(2)(88)10=( )2
(3)(26)8=( )2=( )10
(4)(A2)16=( )2=( )10
5.将下列逻辑函数化为最简的与或表达式
| | | | A | B | C | | A | | | | | | | | | | | | |
(1)用公式法化简 | Y | 1 | | | | B | | C | | | | | | | | | ||||
(2)用卡诺图法化简 | Y | 2 | | A | C | D | | A | BCD | | AB | D | | A | B | C | D |
五、试用与非门设计一个三变量表决电路(设输入变量为A、B、C,同意为1;输出变量为Y,多数同意通过为1)
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六、试分析图6-1所示电路,构成几进制计数器。要求画出状态图(设触发器初态Q1Q0=00)
图6-1
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