（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201010166285.8 （22）申请日 2010.05.05 （71）申请人 张永昶
地址 201700 上海市青浦区青浦镇城东新村24号楼105室
（10）申请公布号 CN102234115A
（43）申请公布日 2011.11.09
（72）发明人 张永昶 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
C01B33/12;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺
（57）摘要
本发明以有机硅烷为氧化硅源，首次尝试
采用阴离子表面活性剂作为模板剂，在酸的存在下制备介孔二氧化硅纳米管。本发明生产方法简单，原料易得，成本低，反应时间短，适于放大生产。本发明制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀，管的内壁和外壁光滑，管壁杂质少的特性。得到的介孔二氧化硅纳米管平均直径为50nm。本发明所生产的二氧化硅管因为具有大的
比表面积和孔体积、可调的孔结构、可调的孔径、可以修饰的表面性质以及可以控制的相貌等等，因此在微观研究，纳米器件、药物负载、气体存储和催化领域有非常大的应用潜力。
法律状态
法律状态公告日
2011-11-09 2012-01-04 2013-03-27 2013-12-18
法律状态信息
公开
文件的公告送达 文件的公告送达
发明专利申请公布后的视为撤回
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权利要求说明书
阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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