骁龙835相当于联发科多少
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发布时间：2022-04-24 04:35
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热心网友
时间：2023-10-28 14:07
骁龙835相当于联发科Helio G80。
Helio G80已相当于2017年旗舰手机所配备处理器骁龙835。事实上红米9所搭载的处理器Helio G80，其跑分达20万分，与当年搭载骁龙835的小米6得分相若。
Helio G80为G70的升级版，采用台积电12nm制程，8核心处理器，分别2x ARM Cortex A75 2.0Ghz+6x ARM Cortex A55 1.8Ghz，而当年骁龙835则采用三星10nm制程，搭载Kryo 280八核心CPU框架，分别由4x ARM Cortex A73 2.45Ghz+4x ARM Cortex A53 1.9Ghz。
骁龙835制程工艺
2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。
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时间：2023-10-28 14:07
骁龙835相当于联发科Helio G80。
Helio G80已相当于2017年旗舰手机所配备处理器骁龙835。事实上红米9所搭载的处理器Helio G80，其跑分达20万分，与当年搭载骁龙835的小米6得分相若。
Helio G80为G70的升级版，采用台积电12nm制程，8核心处理器，分别2x ARM Cortex A75 2.0Ghz+6x ARM Cortex A55 1.8Ghz，而当年骁龙835则采用三星10nm制程，搭载Kryo 280八核心CPU框架，分别由4x ARM Cortex A73 2.45Ghz+4x ARM Cortex A53 1.9Ghz。
骁龙835制程工艺
2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。
