发布网友 发布时间:2022-04-24 02:52
共2个回答
热心网友 时间:2023-10-23 00:57
可以使用带阻三极管替代这个带阻三极管,常用的型号为:KRA106S PNP、KRC106S NPN
虽然带阻三极管很早就在用了,不过那时是用在手机上,为了节约PCB版面和器件,但是传统的设计,很少有看到,没想到这几年也开始用了。
相对于三极管,用小功率mos管,比如SI2301、SI2302,在实际使用中不是很理想,主要是微功率MOS管,容易烧坏,抗冲击能力太弱
尤其是mos管导通之后的内阻太低,容易被瞬间大电流冲击烧坏。去年理解了柔性硬件设计思想,并且也看到很多成熟的设计还是用三极管,所以看到这个带阻三极管,就想着在其它电路中把MOS管替换成带阻三极管。并且相比MOS管,除了抗冲击能力强外,外围不需要两个电阻了,使用简单。
扩展资料:
MOS管工作原理
1N沟道增强型场效应管原理
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);
在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压,即VGS=0时,由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底,相当于两个背靠背连接的PN结,它们之间的电阻高达1012Ω,即D、S之间不具备导电的沟道,所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压,都不会产生漏极电流ID。
热心网友 时间:2023-10-23 00:58
①、这Sⅰ 2301,属于P沟道场效应管,丝印:A1SHB
封装S0T23此管参数如下:/耐压:20V//
/电流:2.3A//。
②、返Si 2302,属于N沟道场效应管,丝印:A2SHB
封装S0T23此管参数如下://耐压:20Ⅴ//
//电流:2.5A//。
③、以上两管替代如下:
Si2301属于P沟道场效应管,可用Si2307直接
代换。
Si2302.属于N沟道场效应管,可用Sⅰ2304直接
代换。
热心网友 时间:2023-10-23 00:57
可以使用带阻三极管替代这个带阻三极管,常用的型号为:KRA106S PNP、KRC106S NPN
虽然带阻三极管很早就在用了,不过那时是用在手机上,为了节约PCB版面和器件,但是传统的设计,很少有看到,没想到这几年也开始用了。
相对于三极管,用小功率mos管,比如SI2301、SI2302,在实际使用中不是很理想,主要是微功率MOS管,容易烧坏,抗冲击能力太弱
尤其是mos管导通之后的内阻太低,容易被瞬间大电流冲击烧坏。去年理解了柔性硬件设计思想,并且也看到很多成熟的设计还是用三极管,所以看到这个带阻三极管,就想着在其它电路中把MOS管替换成带阻三极管。并且相比MOS管,除了抗冲击能力强外,外围不需要两个电阻了,使用简单。
扩展资料:
MOS管工作原理
1N沟道增强型场效应管原理
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);
在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压,即VGS=0时,由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底,相当于两个背靠背连接的PN结,它们之间的电阻高达1012Ω,即D、S之间不具备导电的沟道,所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压,都不会产生漏极电流ID。
热心网友 时间:2023-10-23 00:58
①、这Sⅰ 2301,属于P沟道场效应管,丝印:A1SHB
封装S0T23此管参数如下:/耐压:20V//
/电流:2.3A//。
②、返Si 2302,属于N沟道场效应管,丝印:A2SHB
封装S0T23此管参数如下://耐压:20Ⅴ//
//电流:2.5A//。
③、以上两管替代如下:
Si2301属于P沟道场效应管,可用Si2307直接
代换。
Si2302.属于N沟道场效应管,可用Sⅰ2304直接
代换。