场效应管IRF1010E和F1010E是同一种吗，但它们的其它参数各不相同，能相互代替使用吗？谢谢

发布网友 发布时间：2022-04-24 02:52

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热心网友 时间：2023-10-23 00:57

可以用75N75。 IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，12.5mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

热心网友 时间：2023-10-23 00:57

可以用75N75。 IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，12.5mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

热心网友 时间：2023-10-23 00:57

可以用75N75。 IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，12.5mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。