...锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第4周期的元素,它们在高
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发布时间：2024-10-23 08:14
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时间：2024-11-16 14:14
（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，As的4p能级含有3个电子，为半满稳定状态，第一电离能较高，则第一电离能As＞Se＞Ge＞Ga，故B错误；
C．镓、锗、砷、硒的外围电子分别为4s24p1、4s24p2、4s24p3、4s24p4，都属于p区元素，故C正确；
D．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故D正确；
故答案为：AB；
（2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4，
AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，
故答案为：（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4；三角锥；
（3）Ge的原子序数为32，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2，SeH2中Se形成2个δ键，有2对孤电子对，为sp3杂化，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p2；sp3；
（4）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，
故答案为：NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．
